붕화물 침을 튀기기 표적

모델 : sputtering target
최소한도 순서 : 1
최소한의 가격: 0

Cathay Advanced Materials Limited
China

제품 설명

또는 다른 침을 튀기 기술 자전관에 의해 예금해, 인듐 주석 산화물 (ITO) 표적은 편평한 패널 디스플레이를 위한 전극을 포함하여 ITO에 의하여 입힌 기질을 위해, 접촉 위원회 접촉, 에너지 절약 자동차 및 건축 창 유리, 광전자 공학 장치, 태양 전지판, 등등 1.) 금속 침을 튀기 표적 이용됩니다: 은, Ag 의 오스뮴, Os 의 백금, Pt 의 팔라듐, Pd 의 리듐, Ir 의 루테늄, Ru 의 레늄, 레늄, La, 세륨, Pr, Nd, Sm 의 EU, Gd, Tb, Dy, Ho, 저어, Tm, Yb, Lu, Sc, Y 의 실리콘, Si 의 텔루르, Te 의 창연, 비스무트, 주석, Sn, 아연, Zn, 황, S 의 흑연, C 의 붕소, B 의 지도, Pb, 안티모니, Sb, 셀렌, Se 의 크롬, 크롬, 코발트, CO 의 알루미늄, 알루미늄, 니켈, Ni, 티타늄, 티타늄, 텅스텐, W 의 몸리브덴, Mo 의 탄탈, Ta 의 니오브, Nb 의 지르코늄, Zr, 하프늄, Hf 의 바나듐, V 의 게르마늄, Ge 의 안으로 인듐, 구리, Cu, 철, Fe, 망간, Mn, 마그네슘, Mg 의 바륨, 바륨, 카드뮴, CD, 칼슘, 캘리포니아 의 스트론튬, Sr. 2.) 산화물 침을 튀기기 표적: La2O3, CeO2, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, Sc2O3, Y2O3, Ta2O5, Nb2O5, Ga2O3, V2O5, ZrO2는 티타늄, WO3, HfO2, MgO, Al2O3 의 인듐 주석 산화물, ITO (In2O3-SnO2)로, ZnO, Al2O3에 의하여 진한 액체로 처리된 ZnO (AZO), Ga2O3에 의하여 진한 액체로 처리된 ZnO (GZO), La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO), ZrO2+Ti 안정된 (YSZ), ZrO2-Y2O3 ZrO2+SiO2, Bi2O3, Cr2O3, MoO, MoO3, NiO, SiO 의 크롬 SiO, SiO2, TiO, TiO2, TiO2-Nb2O5, Ti2O3, Ti3O5, CuO/Al2O3, Sb2O3, BaO 진한 액체로 처리했습니다, BaTiO3, CaO, Fe2O3, Fe3O4, PbO, PbTiO3, PbZrO3, LiNbO3, SrO, SrTiO3, SrZrO3, SrBaTiO3, PZT (Plumbum Zirconate 티탄), SrRuO3, LaNiO3, InGaZnO, CuInO2. 3.) (붕화물, 탄화물, 질화물, 불화물, 규화물, 황하물) 침을 튀기기 표적 LaB6, ZrB2, CrB2, TiB2, HfB2, Mo2B5, TaB2, NbB2, W2B, WB, VB2 TiC, SiC, WC, WC CO, B4C, TAC, ZrC, Cr3C2, HfC, Mo2C, VC 근거리 통신망, CeN, PrN, NdN, SmN, EuN, GdN, TbN, DyN, HoN, ErN, TmN, YbN, LuN, ScN, YN, Si3N4, AlN 의 대대, BN/SiC 혼합물, HfN, TaN, NbN, ZrN 의 주석, VN LaF3, CeF3, NdF3, NaF YF3, KF, BaF2, AlF3, LiF, CaF2, SrF3, SrF2, MgF2 CoSi2, Mo5Si3, MoSi2, Ta5Si3, TaSi2, Nb5Si3

연락처 정보

컨택 담당자 Mr. Tao Zhen (Business Development Manager)
회사 Cathay Advanced Materials Limited
주소
B6208, Jinbao Chuangye Jiayuan, Zhongkai High Technology Development Zone, Guangdong, China
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전화 86-7522627166
팩스 86-7522627926